실리콘을 이용한 임패트 다이오드의 설계와 제작Design and fabrication of silicon IMPATT diode
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 권영세 | - |
| dc.contributor.advisor | Kwon, Young-Se | - |
| dc.contributor.author | 황병창 | - |
| dc.contributor.author | Hwang, Byeong-Chang | - |
| dc.date.accessioned | 2011-12-14T02:22:25Z | - |
| dc.date.available | 2011-12-14T02:22:25Z | - |
| dc.date.issued | 1984 | - |
| dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=64178&flag=dissertation | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/39684 | - |
| dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 1984.2, [ [ii], 77 p. ] | - |
| dc.description.abstract | 본 논문에서는 초고주파 대역에서 신호발생원으로 사용할 수 있는 Silicon IMPATT 다이오드를 제작함에 목적을 두었다. 제 III 절에서는 간단한 IMPATT diode의 동작원리를 소개하였고, 정 특성을 알아보았다. IV절에서는 Silicon wafer를 사용하여 IMPATT diode를 설계하는 과정 및 실제 Process를 소개하였으며 이에 대한 diode의 결과는 제V절에 보였다. Process상의 유의점, 문제점들은 제VI절 고찰편에서 다시 다루었으며 VII절에서 결론을 맺고 있다. | kor |
| dc.language | kor | - |
| dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
| dc.title | 실리콘을 이용한 임패트 다이오드의 설계와 제작 | - |
| dc.title.alternative | Design and fabrication of silicon IMPATT diode | - |
| dc.type | Thesis(Master) | - |
| dc.identifier.CNRN | 64178/325007 | - |
| dc.description.department | 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, | - |
| dc.identifier.uid | 000821368 | - |
| dc.contributor.localauthor | 권영세 | - |
| dc.contributor.localauthor | Kwon, Young-Se | - |
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- EE-Theses_Master(석사논문)
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