실리콘을 이용한 임패트 다이오드의 설계와 제작 = Design and fabrication of silicon IMPATT diode

본 논문에서는 초고주파 대역에서 신호발생원으로 사용할 수 있는 Silicon IMPATT 다이오드를 제작함에 목적을 두었다. 제 III 절에서는 간단한 IMPATT diode의 동작원리를 소개하였고, 정 특성을 알아보았다. IV절에서는 Silicon wafer를 사용하여 IMPATT diode를 설계하는 과정 및 실제 Process를 소개하였으며 이에 대한 diode의 결과는 제V절에 보였다. Process상의 유의점, 문제점들은 제VI절 고찰편에서 다시 다루었으며 VII절에서 결론을 맺고 있다.
Advisors
권영세researcherKwon, Young-Seresearcher
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
1984
Identifier
64178/325007 / 000821368
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 1984.2, [ [ii], 77 p. ]

URI
http://hdl.handle.net/10203/39684
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=64178&flag=t
Appears in Collection
EE-Theses_Master(석사논문)
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