실리콘 산화과정에 대한 고찰

Abstract

건조 산화법 및 건습 산화법에 의해 격자 방향 ( 100 )인 n - 형 실리콘 위에 산화막을 성장시켰다. 산화 온도는 1100, 1150, 1200 ℃로 변화시켰고, 산화 시간을 변화시켜 여러 종류의 시편을 제작하였다. 산화막은 재현성 까지 고려하여 오차 10% 이내로 두께를 조절 할 수 있다. 유전 상수는 3.6 - 3.8 정도 되므로 비교적 순수한 $SiO_2$를 형성시켰다고 할 수 있다. $Q_{ss}$ 밀도는 $5 ×10^{10}-2 ×10^{11}cm^{-2}$ 로서 보편적인 값 $9 ×10^{10}cm^{-2}$에 비해 합당한 결과 를 얻었다. $Q_o$ 밀도도 $10^{10}~10^{11}cm^{-2}$로서 매우 작아서 앞으로 개스의 순도만 높이면 MOS process에 대해서도 큰 지장은 없을 것 같다. 산화막 파열 전압에 있어서 보편적인 $SiO_2$ 절연 강도에 비해 양호하였다. 각 측정 결과에 대하여 건조 산화막과 건습 산화막을 비교하였으며, 이는 산화 과정의 특성화에 많은 도움을 줄 것이다.