스펙트럼 분할 ASE 주입형 RSOA 기반 WDM PON의 반사 내성에 관한 연구 = High reflection tolerance of RSOA-based WDM PON employing spectrum-sliced ASE source

본 논문에서는 스펙트럼 분할 ASE를 주입 광으로 사용하는 RSOA기반 WDM PON의 외부반사에 대한 내성을 연구하였다. 일반적으로 RSOA기반 WDM PON은 귀환 구조로 인해 광 커넥터 등에서 발생하는 외부반사에 의한 영향을 받기 쉽다. 하지만 제안된 스펙트럼 분할 ASE 광원을 사용할 경우 신호의 광 대역폭을 충분히 넓힐 수 있어서 반사에 의해 발생할 수 있는 광 비트 간섭 잡음을 효과적으로 줄일 수 있다는 점에 착안하여 실험을 하였고, RSOA로 주입되는 스펙트럼 분할 ASE 광원의 파워와 대역폭에 따라 이 시스템의 외부 반사에 대한 내성을 체계적으로 분석하였다. RSOA로 주입되는 입력광의 파워가 낮을 경우 반사에 의해 상향 신호의 전송성능이 크게 열화 되었고 이는 incoherent crosstalk과 laser oscillation의 발생에 기인한다고 분석 되었다. 하지만 주입광의 파워를 키워줄수록 이들의 영향이 줄어들었고 특히 더 넓은 대역폭의 주입 광을 사용할수록 외부 반사에 의한 영향이 효과적으로 감소함을 확인 할 수 있었다. 결과적으로 본 논문에서는 스펙트럼 분할 ASE 주입형 RSOA기반 WDM PON은 -15 dB 이상의 높은 반사가 전송선로 어느 지점에 위치하더라도 훌륭한 전송 성능을 지님을 실험적으로 확인하였다.
Advisors
정윤철researcherChung, Yun-Churresearcher
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
2009
Identifier
308853/325007  / 020073504
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학전공, 2009.2, [ ii, 53 p. ]

Keywords

Reflective semiconductor optical amplifier; wavelength division multiplexing; optical reflection; reflection tolerance; amplified spontaneous emission; 반사형 반도체 광증폭기; 파장분할 다중화; 외부반사; 반사내성; 증폭자발방사; Reflective semiconductor optical amplifier; wavelength division multiplexing; optical reflection; reflection tolerance; amplified spontaneous emission; 반사형 반도체 광증폭기; 파장분할 다중화; 외부반사; 반사내성; 증폭자발방사

URI
http://hdl.handle.net/10203/38733
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=308853&flag=t
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EE-Theses_Master(석사논문)
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