갈륨비소 FECFET의 게이트 기생 커패시턴스 감소에 관한 연구A study on the reduction of gate parasitic capacitance of GaAs FECFET
- Advisors
- 권영세researcher; Kwon, Young-Seresearcher
- Description
- 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
- Publisher
- 한국과학기술원
- Issue Date
- 1994
- Identifier
- 69390/325007 / 000923162
- Language
- kor
- Description
학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 1994.2, [ 56 p. ]
- Appears in Collection
- EE-Theses_Master(석사논문)
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