수소 플라즈마에 의한 HgCdTe기판의 접합 형성에 관한 연구A study on HgCdTe junction formation process using hydrogen plasma

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본 논문에서는 HgCdTe반도체에서의 수소화에 의한 접합 형성 과정과 이를 응용한 적외선 감지 소자의 제작 및 성능 평가에 대해 다루었다. 수소화 공정은 플라즈마 밀도가 높으면서 기판에 손상을 가하지 않는 방법으로 제안된 유도 결합 플라즈마에 의해 시행되었다. 제작된 접합의 깊이는 유도 결합 플라즈마의 공정 변수 중 공정 시간과 플라즈마 발생을 위한 RF power에 의해 경향성 있게 제어가 가능하였으며, 측면으로의 접합 확산은 접합의 깊이와 거의 동일한 수준으로 이루어져서 접합 형성 과정이 확산 과정임을 알 수 있었다.
Advisors
이희철researcherLee, Hee-Chulresearcher
Description
한국과학기술원 : 전기및전자공학전공,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
2005
Identifier
245082/325007  / 020005178
Language
kor
Description

학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학전공, 2005.2, [ vii, 115 p. ]

Keywords

수소화; 도핑; 적외선 감지 소자; 초점면배열; IRFPA; hydrogenation; doping; HgCdTe

URI
http://hdl.handle.net/10203/35297
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=245082&flag=dissertation
Appears in Collection
EE-Theses_Ph.D.(박사논문)
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