본 발명은 다중양자우물(multiple quantum well) 수직입사 적외선 탐지소자(infrared photodetector) 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 적외선 탐지소자는 상면에 이방성 경사면이 형성된 기판; 전기 기판의 이방성 경사면 상에 형성되며 수직입사된 빛을 탐지하기 위하여 표면 내부가 하향으로 경사지도록 형성된 다중양자우물; 전기 다중양자우물의 상단과 하단에 형성되어 접지전극과 감지전극을 부설하기 위한 접지층 및 감지층; 및, 전기 접지층 및 감지층 각각에 부착 형성되어 다중양자우물에서의 탐지된 결과를 외부로 전달하기 위한 접지전극 및 감지전극을 포함하며, 본 발명에 의한 다중양자우물 수직입사 적외선 탐지장치는 별도의 부대장치가 필요없이 적외선 탐자소자면에 대해 수직입사되는 빛을 효율적이고 감도높게 탐지할 수 있으며, 본 발명에 의해 적외선 탐지소자를 경제적으로 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.