매립형쇼트키전극을이용한고속수광소자

Abstract

본 발명은 전극을 매립시켜 구현할 수 있는 고속 수광 소자에 관한 것으로,매립된 쇼트키 전극을 공통적으로 가지는 소자로 종래의 수광 소자보다 개선된 특징을 갖는다.종래의 수광 소자는 금속 반도체 금속 수광 소자는 쇼트키 전극을 이용하므로 기생 용량이 적고 전자가 포화 속도로 이동하므로 고속 특성을 나타내나 수광 면적이 노출되어 전자,전공의 수의 비가 낮아 지는 단점이 있다. 따라서 전극을 매립시켜 면적의 활용을 높이는 것이 필요하다.소오스(17) 및 드레인(18)을 갖고 있는 고속 수광 소자는 W 전극 게이트(19)과 GaAs 결정 성장층(21)내에 에피택셜 방법으로 매립되고,SiO2 산화막(20)이 반절연성 GaAs 기판(1)위에 GaAs 결정 성장층(21) 양측으로 증착되며,n형 저항성 접촉을 위한 AuGe/Ni층(15)가 GaAs 결정 성장층(21)위에 증착되고,소오스(17) 및 드레인(18)이 서로 교차해서 형성되어,이 드레인과 소오스에 전압을 가하여 빛의 흡수에 의해 드레인과 소오스 사이의 저항이 변하는 경우에,W 전극(19)에 소오스에 대해 역방향 전압을 가할 때 생성된 정공이 W 전극을 통해 끌리게 되어 소자의 회복 시간 특성이 개선되는 것을 특징으로 하는 고속 수광 소자를 얻는다.