발광 소자A LIGHT EMITTING DEVICE

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실시 예는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하며, 상기 활성층은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지며, 적어도 1회 이상 교대로 적층되는 우물층 및 장벽층을 포함하며, 상기 활성층은 제1 두께를 갖고, 상기 우물층은 제2 두께를 가지며, 상기 장벽층은 상기 제2 두께보다 얇거나 동일한 제3 두께를 갖는다.
Assignee
엘지이노텍 주식회사,한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2013-06-05
Application Number
10-2013-0064491
Registration Date
2020-02-18
Registration Number
10-2080774-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/273451
Appears in Collection
PH-Patent(특허)
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