본 발명은 금속 소재의 고온 산화 시 공동, 미세균열, 기공 등을 포함한 여러 가지의 결함을 가진 비보호적인 스케일로 성장하는 산화거동을 예방하기 위해, 고온 환경 노출 이전에 산화피막을 형성하여 산화속도를 억제하는 방법 및 이에 따라 제조되는 내부식성 금속에 관한 것으로, 금속 산화막 격자 내 침입형 양이온, 음이온 공공과 같은 이온 결함 농도를 줄일 수 있는 원소를 도펀트로 포함시켜 금속표면에 산화피막을 형성한다. 도펀트 원소로 산소 원자보다 원자가가 높은 불소 등의 원소를 첨가해 이온 결함의 농도를 줄여 음이온 확산속도를 줄여 소재의 내부식성 향상에 기여할 것으로 기대된다.