멀티 레벨 메모리 소자 및 그의 데이터 센싱 방법MULTI LEVEL MEMORY DECICE AND ITS DATA SENSING METHOD
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 류승탁 | ko |
| dc.contributor.author | 권지욱 | ko |
| dc.contributor.author | 진동환 | ko |
| dc.contributor.author | 박철연 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-09-18T08:20:31Z | - |
| dc.date.available | 2019-09-18T08:20:31Z | - |
| dc.date.issued | 2019-08-19 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/267574 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 메모리 셀에 흐르는 넓은 범위의 전류를 효율적으로, 정확하게, 그리고 신속하게 검출할 수 있는 멀티 레벨 메모리 소자를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 별도의 승압전압용 회로 없이 메모리 셀에 저장된 멀티 레벨 데이터를 신속하게 검출할 수 있는 멀티 레벨 메모리 소자를 제공할 수 있다. 본 발명에 따른 멀티 레벨 메모리 장치는, 상이한 크기의 전류를 통과시키는 적어도 두개 이상의 전류 경로; 상기 적어도 두개 이상의 전류 경로와 전기적으로 선택적으로 연결되는 메모리 셀; 및 상기 메모리 셀에 흐르는 셀 전류를 복제하고, 상기 셀 전류의 크기가 소정의 기준치를 초과하는지의 여부를 검출하는 거친검출부를 포함한다. | - |
| dc.title | 멀티 레벨 메모리 소자 및 그의 데이터 센싱 방법 | - |
| dc.title.alternative | MULTI LEVEL MEMORY DECICE AND ITS DATA SENSING METHOD | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 류승탁 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 권지욱 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 진동환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박철연 | - |
| dc.contributor.assignee | 에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0054719 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2013633-0000 | - |
| dc.date.application | 2013-05-15 | - |
| dc.date.registration | 2019-08-19 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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