실리콘 광 위상배열에서 빔 조종각도를 넓히기 위한 저간섭 도파로 발산구조의 설계

Abstract

본 논문에서는 실리콘 광 위상배열에서 빔 조종각도를 넓히기 위한 저간섭 도파로 발산구조를 제시한다. 설계한 광 위상배열은 광 파워 분배기, p-i-n 다이오드 기반 위상 변조기 그리고 저간섭 도파로 발산기로 구성된다. 도파로 발산기 간 배열을 반파장으로 배치함으로써 그레이팅로브를 제거했으며 넓은 빔 조종각도를 달성했다. 저간섭 도파로 배열은 발산기를 반파장 간격으로 배치했을 때 발생하는 간섭을 줄이기 위해 적용되었다. 1550 nm 파장에서 계산한 설계한 구조의 간섭은 -15.65 dB이며 실험을 통해 측정한 빔 조종 각도는 ~80, 사이드로브 레벨은 8.39 dB다.