다중 비트 커패시터리스 디램 및 그 제조 방법MULTI BIT CAPACITORLESS DRAM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
본 발명에 따른 다중 비트 커패시터리스 디램은 기판, 상기 기판상에 형성된 소스 및 드레인, 상기 기판상에 형성된 복수의 나노와이어 채널, 상기 복수의 나노와이어 채널에 형성된 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트를 포함하고, 상기 복수의 나노와이어 채널 중 2개 이상의 나노와이어 채널은 서로 다른 문턱 전압을 가진다. 이에 의하여, 상기 구성을 가진 본 발명에 따른 커패시터리스 디램 및 그 제조 방법에 의하면, 다중 비트로 동작할 수 있는 고집적도의 다중 비트 커패시터리스 디램을 구현할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2018-02-28
- Application Date
- 2015-12-08
- Application Number
- 10-2015-0174252
- Registration Date
- 2018-02-28
- Registration Number
- 10-1835612-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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