개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 고분자 막의 제조방법Method of Preparing Polymer Film Using iCVD
황 공중합체(poly(S-r-DIB))가 코팅된 다양한 기판, 특히 리튬-황 이차전지의 황 공중합체 전극에 개시제를 이용한 화학적 기상 증착 공정 (iCVD)를 활용하여 다양한 고분자 막을 형성하고, 코팅된 고분자막은 황 공중합체가 코팅된 기판과 좋은 접착력을 보이며 이를 황 공중합체 전극에 적용하였을 때 코팅된 고분자막이 충/방전 과정간에 용출되는 폴리설파이드 음이온이 양극으로부터 전해질 층으로 빠져나가는 것을 방지하는 효과를 보인다.
- Assignee
- 한국과학기술원,서울대학교산학협력단
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2017-07-25
- Application Date
- 2016-02-26
- Application Number
- 10-2016-0023381
- Registration Date
- 2017-07-25
- Registration Number
- 10-1763356-0000
- Appears in Collection
- CBE-Patent(특허)
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