수직 집적 다층 전면-게이트 나노선 채널 기반의 디램 및 플래쉬 메모리의 선택적 동작이 가능한 융합 메모리 및 그 제작 방법

Abstract

일실시예에 따르면, 수직 집적 다층 전면-게이트 나노선(Vertically integrated multiple gate-all-around nanowire) 채널 기반의 융합 메모리 제작 방법은 기판에 복수의 나노선들이 수직으로 집적된 수직 집적 다층 나노선 채널을 형성하는 단계; 상기 수직 집적 다층 나노선 채널에 층간 절연막(Interlayer dielectric; ILD)을 형성하는 단계; 상기 수직 집적 다층 나노선 채널 중 적어도 일부가 노출되도록 상기 층간 절연막에 홀을 생성하는 단계; 상기 수직 집적 다층 나노선 채널 중 노출된 적어도 일부를 감싸도록 질화막을 포함하는 구조층을 형성하는 단계; 및 상기 구조층을 감싸며 상기 홀이 채워지도록 상기 층간 절연막 상에 게이트 유전막을 형성하는 단계를 포함한다.