실리콘 광전소자의 제조방법

Abstract

본 발명의 일 관점에 따르면, 실리콘 광전소자의 기판 상에 스핀 코팅 공정으로 도펀트 물질을 함유하는 층을 형성하고 패터닝함으로써 제 1 웰(well)을 형성하기 위한 영역을 덮는 상기 도펀트 물질을 함유하는 패턴을 형성하는 제 1 단계; 상기 기판 및 상기 도펀트 물질을 함유하는 패턴을 덮는 제 1 캐핑막을 형성하는 제 2 단계; 및 상기 제 1 캐핑막을 제거하지 않은 상태에서 제 1 어닐링 공정을 수행함으로써, 상기 도펀트 물질을 함유하는 패턴으로부터 도펀트가 상기 기판 밖으로 확산되었다가 상기 기판 중에서 상기 제 1 웰을 형성하기 위한 영역 이외의 영역으로 다시 들어가는 것을 방지하면서, 상기 도펀트 물질을 함유하는 패턴으로부터 상기 기판 내로 도펀트를 확산시켜 상기 제 1 웰을 형성하는 제 3 단계;를 포함하는, 실리콘 광전소자의 제조방법을 제공한다.