단일 사건 현상과 누적 이온화 현상에 강인한 내방사선 단위 모스펫

Abstract

본 발명은 누적 이온화 현상으로 인해 발생하는 누설전류 경로를 차단하고 단일 사건으로 발생한 전류 펄스의 영향을 감소시키는 내방사선 단위 모스펫(MOSFET)에 관한 것으로, 게이트(gate) 영역 및 적어도 하나의 더미 게이트(Dummy gate) 영역을 지정하는 폴리 게이트 레이어(poly gate layer), 소스(source) 및 드레인(drain), 상기 소스 및 드레인에 P+ 영역을 지정하는 P+ 레이어 및 P-액티브 레이어와 전압 인가가 가능한 더미 드레인(Dummy Drain)를 포함한다. 전술한 본 발명에 따르면, 입자 방사선과 전자파 방사선이 존재하는 방사선 환경에서도 정상적으로 동작하는 전자부품을 제공할 수 있다.