미세전극칩의 비전극 부분을 절연하는 절연막 형성 방법 및 이에 따라 제조된 미세전극칩 METHOD FOR MAKING INSULATOR OF MICROELECTRODE ARRAYS AND THE MICROELECTRODE ARRAYS

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본 발명은 미세전극칩의 비전극 영역을 절연하는 절연막 형성 방법에 있어서, 절연막이 마모된 미세전극칩을 준비하는 (a)단계; 상기 미세전극칩의 전극 영역에 대응되는 형상으로 제작된 스탬핑 몰드를 상기 (a)단계에서 준비된 미세전극칩의 전극 영역에 접촉시키는 (b)단계; 및 상기 (b)단계 이후, 상기 스탬핑 몰드가 미세전극칩의 전극 영역에 접촉되어 공간이 형성된 비전극 영역에 모세관 현상을 이용하여 절연 용액을 침투시키는 (c)단계를 포함하여, 모세관 현상을 이용한 공정으로 절연물을 충진하여 미세공정 없이도 미세전극칩을 재사용할 수 있도록 절연막을 형성시킨다.본 발명은 절연막이 마모된 미세전극칩을 재활용할 수 있도록 절연막 형성 방법을 제공한다. (a)단계 내지 (d)단계를 참조하면, 본 발명에 따른 절연막 형성 방법은 절연막의 상태조건에 영향을 받지 않고, 미세전극칩 상에 절연막을 형성할 수 있다. 특히, 스탬핑 몰드와 모세관 현상을 이용한 절연막 형성은 별도의 미세공정 없이도 미세전극칩 절연막을 평탄하게 형성시킬 수 있다. 이를 통해, 초도 생산되어 공급되었던 미세전극칩의 재활용을 간단하고 저렴한 공정으로 수행할 수 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2018-12-10
Application Date
2016-11-09
Application Number
10-2016-0148588
Registration Date
2018-12-10
Registration Number
10-1929626-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/254359
Appears in Collection
BiS-Patent(특허)
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