기공층이 형성된 Ge 기판을 이용한 화합물 반도체 제조 방법

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 기공층이 형성된 Ge 기판을 이용한 화합물 반도체 제조 방법은 Ge 기판을 마련하는 단계, Ge 기판에 소정의 크기의 복수의 이격된 홀을 생성하는 단계, Ge 기판을 열처리하여 Ge 기판의 상부에 홀을 밀폐시키는 박막을 생성시켜 Ge 기판의 내부에 기공층을 형성하는 단계, 박막 위에 화합물 반도체를 성장시키는 단계 및 기공층이 형성된 부분의 Ge 기판을 절단하여 박막 및 화합물 반도체를 Ge 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함한다.