본 발명은 저전력 초광대역 수신기를 위한 저잡음 증폭기에 관한 것이다. 각 증폭단으로부터 분리된 각 패드 접지부와 패키지 접지부로 구비된 접지부; 각 MOSFET 소자로 된 증폭단의 드레인 단자에 바이어스 전압을 제공하는 바이어스부; 1V 이하의 낮은 전원 전압으로 동작할 수 있도록 수신 신호를 증폭하는 공통 에미터 MOSFET 구조의 2단 증폭단으로 구성된 증폭부; 및 입력 임피던스 정합부, 2단으로 구성된 상기 증폭부 사이에서 안정도를 개선하기 위한 단간 임피던스 정합부, 및 출력 임피던스 정합부로 구비된 임피던스 정합부로 구성된다. 따라서, 공통 에미터 구조로 저잡음 증폭기를 설계하고 분할된 접지부와 임피던스 정합회로를 이용하여 발진을 방지하여, 종래의 캐스코드 구조의 저잡음 증폭기에 비하여 2배 가까이 낮은 전원 전압을 사용할 수 있으며, 전원 전압이 1V 이하인 고속 디지털 회로와 단일칩으로 제작가능하며, 저전력으로 동작하면서 큰 전압이득을 얻을 수 있다. 초광대역(UWB), 수신기, 저잡음 증폭기(LNA)