쇼트키―장벽 트랜지스터의 제조 방법 METHOD FOR MANUFACTURING SCHOTKKY―BARRIER TRANSISTOR

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본 발명은 전계 효과 트랜지스터 제작 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 소오스/드레인 영역에 금속 실리사이드를 사용한 트랜지스터에 인장 실리콘 공정기술을 적용한 쇼트키-장벽 소스 및 드레인을 갖는 전계 효과 트랜지스터 제작 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터의 제작 방법은 쇼트키 장벽 트랜지스터 반도체의 제조방법에 있어서, 실리콘 게르마늄 변형 반도체 기판상에 게이트 절연막, 게이트 전극, 게이트 전극의 측면에 절연성 스페이서를 형성하고, 게이트 패턴 및 스페이서를 이온 주입 마스크로 반도체 기판 내에 불순물을 주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계; 기판 전면에 금속막을 증착하는 단계; 기판 전면을 열처리하여 금속 실리사이드를 형성하는 단계; 및 실리사이드를 형성하고 남은 금속막을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 이루어진다.실리사이드(Salicide), 인장 실리콘(Strained Silicon), 쇼트키-장벽 트랜지스터(Schottky-Barrier Transistor), 핀 구조 전계 트랜지스터(FinFET), 단 채널 효과 (Short Channel Effects), 3차원 트랜지스터, 구동 전류(Drive Current)
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2007-06-22
Application Date
2005-07-01
Application Number
10-2005-0059071
Registration Date
2007-06-22
Registration Number
10-0733605-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/236850
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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