에스오엔 모스 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

Abstract

본 발명은 실리콘 기판 내부에 블리스터를 형성함으로써, 벌크(bulk) 구조 및 에스오아이(SOI) 구조의 단점을 동시에 개선할 수 있는 에스오엔(SON) 모스 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판의 상부 양측에 형성된 소자 분리 절연막, 소자 분리 절연막 사이의 실리콘 기판 표면에 순차적으로 형성된 게이트 절연막과 게이트 전극, 게이트 절연막과 소자 분리 절연막 사이의 실리콘 기판 상부에 형성된 소스 영역과 드레인 영역, 게이트 절연막 하부의 실리콘 기판 내부에 형성된 블리스터, 블리스터와 소스 영역 및 드레인 영역에 의하여 둘러싸이는 실리콘 기판 내부의 실리콘 채널을 포함하며, 블리스터는 수소 또는 헬륨 이온으로 형성되는 에스오엔 모스 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공한다.SON(Silicon-On-Nothing), 트랜지스터, 블리스터(blister)