커패시터리스 디램 소자 및 그 제조방법CAPACITORLESS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING THE SAME
본 발명의 커패시터리스 디램 소자는 절연층이 형성된 기판; 상기 절연층 위에 형성된 부유바디; 상기 절연층 상에 상기 부유바디를 사이에 두고 이격되어 형성된 소오스 및 드레인; 상기 부유바디 상에 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 형성된 게이트; 및 상기 부유바디로 빛을 통과시키고 상기 부유바디 이외의 영역으로 조사되는 빛을 차단하는 금속층을 포함하며, 상기 부유바디로의 빛의 조사에 의해 프로그램 상태로 트리거된다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2011-09-27
- Application Date
- 2010-10-29
- Application Number
- 10-2010-0106693
- Registration Date
- 2011-09-27
- Registration Number
- 10-1069559-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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