반도체 메모리 소자 및 그 구동방법

Abstract

본 발명은 반도체 메모리 소자 및 그 구동방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 비휘발성 메모리 소자와 휘발성 메모리 소자의 동작이 가능한 융합 메모리 소자 및 그 구동방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 융합 메모리 소자는, 기판상에 형성된 제1 절연층, 제1 절연층상에 형성된 부유바디셀, 부유바디셀 양측에 각각 형성된 소오스 및 드레인, 부유바디셀상에 형성된 제2 절연층, 제2 절연층 사이에 형성되고, 비휘발성 메모리 소자로 동작할 경우, 전체영역에서 전자가 축적 및 축출 될 수 있고, 커패시터리스 디램 소자로 동작할 경우, 전체영역 중 드레인과 인접한 국부적인 영역에서 전자를 트랩 할 수 있는 부유게이트, 및 제2 절연층상에 형성된 제어게이트를 포함한다. 본 발명에 따르면, 융합 메모리의 기능 중 커패시터리스 디램 소자 및 단일 커패시터리스 디램 소자에 있어서, 저전력으로 센싱 마진을 증가시킬 수 있고, 고속 동작이 가능하며, 데이터 유지 시간을 증가시킬 수 있다. 융합 메모리(unified random access memory), 커패시터리스 디램(capacitorless DRAM), 밴드간 터널링(band to band tunneling), 게이트 누설 전류(gate induced leakage current)