양극산화막을 이용한 반도체 패키지 모듈 및 그 제조방법(Semiconductor Package Module Using Anodized Oxide Layer and Manufacturing Method Thereof)Semiconductor Package Module Using Anodized Oxide Layer and Manufacturing Method Thereof
수광 또는 발광소자를 사용하는 경우에도 효과적으로 기능이 발휘되고 다른 반도체 소자 및 부품과의 연결이 용이하도록, 양극산화막을 형성할 수 있는 재질로 형성되는 기판과, 기판 상에 형성되고 적어도 하나의 개구부를 갖는 산화물층과, 산화물층의 개구부 내에 실장되는 반도체 소자와, 산화물층 및 반도체 소자를 덮도록 형성되고 반도체 소자의 상면이 노출되도록 일부가 제거되는 유기물층과, 유기물층 또는 산화물층 상에 형성되고 반도체 소자와 연결되는 리드선을 포함하는 양극산화막을 이용한 반도체 패키지 모듈을 제공한다.
- Assignee
- (주)웨이브닉스이에스피,한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2009-04-14
- Application Date
- 2007-09-18
- Application Number
- 10-2007-0094584
- Registration Date
- 2009-04-14
- Registration Number
- 10-0894247-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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