저유전율 실록산 보호막 조성물Low-k siloxane passivation layer composition

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본 발명은 박막 트랜지스터의 보호막(passivation layer)으로 사용될 수 있는 솔-젤 반응에 의해 제조되는 불화 유기 올리고실록산에 의한 저유전율 실록산 보호막 조성물에 관한 것이다. 상기의 불화 유기 올리고 실록산은 용액공정이 가능하고 200도 이하의 저온 경화 공정에서도 높은 투명성, 우수한 열안정성, 저유전율, 낮은 누설전류, 평탄성, 접착성의 특성을 지닌 저율전율 실록산 보호막 조성물을 제공한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2012-05-15
Application Date
2010-05-26
Application Number
10-2010-0049051
Registration Date
2012-05-15
Registration Number
10-1147971-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/235069
Appears in Collection
MS-Patent(특허)
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