반도체 발광소자SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 반도체층을 가지는 반도체 발광소자에 있어서, 상기 활성층은 ZnO 기판 상에 성장되며, 우물 내의 In 조성물과 장벽 내의 Mg 조성물을 선택적으로 조절하여 제로(zero)의 내부전계를 가진 InxGa1-xN(0≤x≤1) 우물층과 MgyZn1-yO(0≤y≤1) 장벽층을 포함하는 양자우물(QW) 구조로 이루어짐으로써, 우물과 장벽 사이의 압전분극과 자발분극의 무효화로 인해 내부전계의 극성을 제거하여 광학적 매트릭스 요소가 크게 향상될 수 있는 효과가 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2012-08-31
- Application Date
- 2011-08-19
- Application Number
- 10-2011-0083087
- Registration Date
- 2012-08-31
- Registration Number
- 10-1180385-0000
- Appears in Collection
- PH-Patent(특허)
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