마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치

Abstract

본 발명은 마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치에 관한 것으로서 보다 상세하게는 마그네트론(110), 제어장치(120) 및 전원공급장치(130)가 포함된 마이크로웨이브 발생기(100)와 도파관(210), 차단기(220), 정합기(230) 및 지시계(240)가 포함된 도파부(200)와 가열기(300) 및 가열기(300) 내부의 화학기상반응로(400)로 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치에 관한 것이다.본 발명은 플라즈마를 형성하지 않고 상압 또는 상압에 가까운 압력하에서 박막을 화학적 기상 반응으로 흡착할 수 있는 화학기상반응장치에 마이크로웨이브 발생기에서 생성된 마이크로웨이브를 도파관을 통하여 반응 챔버(chamber)로 주입하는 장치를 추가함으로서 상압 화학반응시 마이크로웨이브가 화학반응을 활성화시켜 반응온도를 낮출 수 있을 뿐만 아니라 화학반응이 기판표면에 일어나게 해주며, 기판 표면의 반응된 형성물의 이동도를 높여줌으로서 스텝 커버리지(step-coverage) 및 막질 특성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 즉 기존에 화학기상반응 장치에 가열기에서 기판을 가열시켜주는 방법에서 마이크로웨이브에 의해서 화학반응을 활성화 시켜줌으로써 기판가열을 최소화 할 수 있는 장점과 막질내에 기타불순물 (수소, 탄소)을 최소화 할 수 있는 장점도 지니고 있다.