초임계수를 이용한 반도체 산화물의 제조방법(Method for synthesis of semiconductor oxide using by supercritical water)Method for synthesis of semiconductor oxide using by supercritical water
본 발명은 초임계수를 이용한 반도체 산화물의 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 반도체 산화물 전구체를 포함하는 수용액 또는 반도체 산화물 전구체를 포함하는 수용액과 질산 수용액의 혼합물을 초임계수와 혼합시키고 물의 초임계 조건 이상에서 수열합성반응을 통하여 연속적으로 반도체 산화물을 제조하는 초임계수를 이용한 반도체 산화물의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 상기에서 언급한 방법에 의해 제조한 반도체 산화물을 포함한다.본 발명은 상기에서 언급한 방법에 의해 제조한 반도체 산화물을 함유하는 광촉매를 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2008-11-03
- Application Date
- 2007-08-28
- Application Number
- 10-2007-0086651
- Registration Date
- 2008-11-03
- Registration Number
- 10-0867601-0000
- Appears in Collection
- CBE-Patent(특허)
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