초고집적도 디램 커패시터용 스트론튬-납 티탄산 박막의 제조방법Process for Preparing Strontium-lead Titanate Thin Film for Capacitor of ULSI DRAM
본 발명은 디램 커패시터용 스트론튬-납 티탄산 박막 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 육면체의 단일결정격자 속에 스트론튬 또는 납이 모서리에 위치하고, 티타늄이 중심에 위치하며, 산소원자가 격자면에 위치하는 페로브스카이트(perovskite) 결정구조를 갖는 디램 커패시터용 스트론튬-납 티탄산 박막 및 그를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 의한면, 종래의 스트론튬-바륨 티탄산, 납-란타니움 티탄산 및 납 지르코늄-티탄산 보다 우수한 유전특성을 보일 뿐만 아니라, 낮은 온도에서의 열처리가 가능하여, 저온에서도 원하는 특성의 스트론튬-납 티탄산 박막을 제조할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2002-06-03
- Application Date
- 1999-11-18
- Application Number
- 10-1999-0051311
- Registration Date
- 2002-06-03
- Registration Number
- 10-0340951-0000
- Appears in Collection
- CBE-Patent(특허)
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