양자선 채널 ＦＥＴ의 양자선 제조 방법Fabrication method for a quantum wire on the quantum wire FETs
본 발명은 희생층과 일반 사진 기법을 이용하여 접촉식 리소그래피(Contact Aligner) 장비에 의하여 양자선을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는, 기판(Substrate) 위에 식각 정지층, 희생층 및 식각 마스크층을 순서대로 성장시키는 단계; 상기 식각 마스크층을 패터닝한 후 식각하는 단계; 격자 방향에 따른 물질 특성을 이용하여 상기 희생층을 사다리꼴의 짧은 변을 아래로 뒤집어 놓은 형태로 식각하는 단계; 및 양자선의 마스크 역할을 수행하도록 상기 희생층의 바닥과 동일한 폭으로 상기 식각 정지층을 식각하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자선 채널 FET의 양자선 제조 방법을 제공한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2005-04-18
- Application Date
- 2002-11-29
- Application Number
- 10-2002-0075432
- Registration Date
- 2005-04-18
- Registration Number
- 10-0485498-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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