헤테로다인 간섭 리소그래피 장치, 그 장치를 이용한 미세패턴 형성방법, 웨이퍼 및 반도체 소자 Heterodyne interference lithography apparatus, method for drawing pattern using the same device, wafer, and semiconductor device

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본 발명은 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치 및 그 장치를 이용한 미세패턴 형성방법에 대한 것이다. 두 개 또는 그 이상의 각기 다른 파장을 생성할 수 있는 레이저를 이용하여 간접 현상을 일으켜 나노패턴을 형성하고, 맥놀이 현상에 의한 마이크로 패턴을 동시에 형성할 수 있는 간섭 리소그래피 장치 및 패턴 형성방법에 관한 것이다. 이를 위해 서로 다른 파장을 갖는 레이저 빔을 발생시키는 멀티 레이져 광원부(100); 레이저 빔을 투과시키거나 반사시키는 편광식빔분리기(200); 투과된 서로 다른 파장의 상기 레이저 빔을 서로 공간적으로 분리하는 공간식빔분리기(300); 반전된 레이저 빔을 확장시키는 빔 확장기(400); 및 확장된 레이저 빔과 확장된 레이저 빔의 반사에 의해 서로 간섭을 일으킴으로써 제1패턴을 형성하고, 서로 다른 파장에 의한 파동의 간섭에 의해 새로운 합성파를 생성함으로써 제2패턴을 형성하는 패턴 생성부(500);를 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치가 개시된다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2013-01-30
Application Date
2011-08-23
Application Number
10-2011-0084000
Registration Date
2013-01-30
Registration Number
10-1229786-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/234567
Appears in Collection
ME-Patent(특허)
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