DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 하정석 | ko |
dc.contributor.author | 문재균 | ko |
dc.contributor.author | 오지은 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:37:12Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T11:37:12Z | - |
dc.date.issued | 2013-03-28 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234377 | - |
dc.description.abstract | 플래시 메모리 장치의 셀 간 간섭을 최소화하기 위한 격자 부호 변조 방법, 이를 이용하는 격자 부호 변조 회로, 오류 정정 회로 및 플래시 메모리 장치의 데이터 입력 방법과 플래시 메모리 장치를 공개한다. 플래시 메모리를 위한 격자 부호 변조에서 신호 성상으로 생성 가능한 모든 포인트로부터 사용하지 않는 포인트들을 제거함에 있어서 E-PH 패턴을 포함한 포인트를 우선적으로 제거하므로, 셀간 간섭이 크게 발생하는 E-PH 패턴으로 인한 오류율의 증가를 감소시켜 오류율의 이득을 얻을 수 있다. | - |
dc.title | 플래시 메모리 장치의 셀 간 간섭을 최소화하기 위한 격자 부호 변조 방법, 이를 이용하는 격자 부호 변조 회로, 오류 정정 회로 및 플래시 메모리 장치의 데이터 입력 방법과 플래시 메모리 장치 | - |
dc.title.alternative | Trellis coded modulation method for reducing inter-cell interference of flash memory device, trellis coded modulation circuit, error correct circuit and flash memory device using same | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 하정석 | - |
dc.contributor.localauthor | 문재균 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 오지은 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0122415 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1250672-0000 | - |
dc.date.application | 2010-12-03 | - |
dc.date.registration | 2013-03-28 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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