플래시 메모리 장치의 셀 간 간섭을 최소화하기 위한 격자 부호 변조 방법, 이를 이용하는 격자 부호 변조 회로, 오류 정정 회로 및 플래시 메모리 장치의 데이터 입력 방법과 플래시 메모리 장치 Trellis coded modulation method for reducing inter-cell interference of flash memory device, trellis coded modulation circuit, error correct circuit and flash memory device using same

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플래시 메모리 장치의 셀 간 간섭을 최소화하기 위한 격자 부호 변조 방법, 이를 이용하는 격자 부호 변조 회로, 오류 정정 회로 및 플래시 메모리 장치의 데이터 입력 방법과 플래시 메모리 장치를 공개한다. 플래시 메모리를 위한 격자 부호 변조에서 신호 성상으로 생성 가능한 모든 포인트로부터 사용하지 않는 포인트들을 제거함에 있어서 E-PH 패턴을 포함한 포인트를 우선적으로 제거하므로, 셀간 간섭이 크게 발생하는 E-PH 패턴으로 인한 오류율의 증가를 감소시켜 오류율의 이득을 얻을 수 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2013-03-28
Application Date
2010-12-03
Application Number
10-2010-0122415
Registration Date
2013-03-28
Registration Number
10-1250672-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/234377
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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