３차원 나노구조체 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 3차원 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 패턴화된 고분자 구조체의 외주면에 물리적 이온 식각공정을 통한 이온 봄바드먼트(ion bombardment) 현상을 적용하여 목적물질을 부착시킨 목적물질-고분자 복합구조체를 형성시킨 다음, 상기 목적물질-고분자 복합구조체의 고분자를 제거하여 나노구조체를 제조함으로써, 대면적으로 고 종횡비와 균일성을 가지는 다양한 형상의 3차원 나노 구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 3차원 나노구조체의 제조방법은 물리적 이온 식각을 통한 이온 봄바드먼트 현상을 적용하여 제조됨으로써 간단한 공정과 저렴한 비용으로 높은 종횡비와 균일성을 가지는 3차원 나노구조체를 제조할 수 있고, 고분자 구조체의 패턴 및 형상을 조절함으로써 다양한 형상의 구조체 제조가 용이한 동시에 대면적으로 두께가 10nm 이하인 균일한 미세 나노구조를 형성할 수 있어 나노전자소자, 광학소자, 바이오소자, 에너지소자 등과 같은 미래의 나노소자의 높은 성능을 구현할 수 있는 효과가 있다.