급속가열법을 이용한 결정질 루브렌 박막의 제조방법Preparation method of crystalline rubrene thin film using abrupt heating
본 발명은 급속가열법을 이용한 결정질 루브렌 박막의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 비정질 루브렌 박막을 급속가열하여 제조하는 것을 특징으로 하는 결정질 루브렌 박막의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 급속가열법을 이용한 결정질 루브렌 박막의 제조방법은 종래의 고품질 결정질 필름으로 제조가 어려웠던 루브렌(rubrene)을 급속가열하는 간단한 공정만으로 고성능 박막 트랜지스터(TFT) 특성을 보이는 결정질 필름으로 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 제조되는 루브렌 박막은 매우 높은 전하 이동도를 나타냄으로써 박막 트랜지스터(TFT)의 제조에 적용되어 고성능 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2013-04-10
- Application Date
- 2011-01-17
- Application Number
- 10-2011-0004487
- Registration Date
- 2013-04-10
- Registration Number
- 10-1255648-0000
- Appears in Collection
- NE-Patent(특허)
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