플렉서블 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 메모리 소자

Abstract

플렉서블 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 메모리 소자가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 방법은 플렉서블 기판에 고성능 다결정 또는 단결정 실리콘 스위칭 소자를 제조하는 단계; 및 상기 제조된 스위칭 소자를 포함하는 메모리 소자를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면, 고성능 실리콘 소자를 스위칭으로 활용하여, 플렉서블한 형태의 다양한 메모리 소자를 제조할 수 있다. 특히 본 발명에 따르면 하나의 스위칭 소자와 하나의 메모리 구조를 통하여 메모리 어레이를 플렉서블 기판 상에 구현시킬 수 있으며, 더 나아가 RRAM, PRAM, DRAM,의 경우, 고성능 플렉서블 실리콘 트랜지스터가 비정형 TiO2(α-TiO2) 기반 쌍극자 저항 메모리, GST 상변화 메모리, ZrO2 캐패시터 메모리 요소등과 집적되어, 메모리의 논리 상태를 제어할 수 있다.