Ｌ１0 규칙화 구조의 ＦｅＰｔ 나노 도트 어레이의 제조방법L10-ordered FePt Nanodot Arrays Manufacturing Method
본 발명은 L10 규칙화 구조의 FePt 나노 도트 어레이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 CFL 공정(Capillary Force Lithography : 삼투 압력 리소그래피)을 이용하여 L10 규칙화 구조의 FePt 나노 도트 어레이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 L10 규칙화 구조의 FePt 나노 도트 어레이의 제조방법는 기판 상에 FePt 박막을 증착하는 제 1단계와, 상기 제 1단계에서 증착된 FePt 박막 상에 스핀 코팅을 이용하여 고분자 물질을 박막으로 형성하는 제 2단계와, 상기 제 2단계에서 스핀 코팅된 FePt 박막에 몰드를 접촉하는 제 3단계와, 상기 제 3단계에서 접촉된 몰드와 폴리머 패턴을 열처리(annealing)하는 제 4단계와, 상기 제 4단계에서 열처리된 몰드와 폴리머 패턴을 냉각 및 분리시키는 제 5단계와, 반응성 이온 에칭을 통하여 폴리머 패턴의 사이즈를 조절하는 제 6단계와, 상기 폴리머 패턴에 덮히지 않은 FePt 박막을 이온 밀링하여 FePt 나노 도트 형성 후, 남아있는 폴리머 층을 제거하는 제 7단계와, FePt 나노 도트 어레이를 열처리하는 제 8단계를 포함한다. CFL, FePt 박막, 수직 자기 기록 매체, 패턴된 나노 도트 어레이
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2010-08-23
- Application Date
- 2008-12-11
- Application Number
- 10-2008-0125792
- Registration Date
- 2010-08-23
- Registration Number
- 10-0978491-0000
- Appears in Collection
- RIMS PatentsCBE-Patent(특허)
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