전압제어 자화반전 기록방식의 ＭＲＡＭ 소자 및 이를이용한 정보의 기록 및 판독 방법Information storage and interpretation method ofmagnetic random access memory using voltage-controlmagnetization reversal as the writing type
양극과 음극으로 되는 둘의 기저 전극을 이용하고 PZT 얇은 막에 의하여 원활히 전압이 인가되는 것만이 아니고,이본의 기록 선 및 판독 선에 의하여 기록과 판독이 상호 독립적에 각각 이루어지고,압전층에 전압을 인가하는 것에 따라 자유 강자성체의 자화 방향에 의한 반대·일그러짐 현상(inverse magnetostriction)을 이용하고 평면 방향 또는 평면 방향에 수직인 방향에 제어하고 기록과 판독이 이루어지는 비휘발성,초영속성,초절전 형태 전압 제어 자화 반전 기록 방식의 MRAM 소자 및 그것을 이용한 정보의 기록 및 판독 방법을 제공한다.
- Assignee
- KAIST
- Country
- JA (Japan)
- Issue Date
- 2010-06-18
- Application Date
- 2005-12-02
- Application Number
- 2005-348655
- Registration Date
- 2010-06-18
- Registration Number
- 4533837
- Appears in Collection
- RIMS Patents
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