본 발명은 터치패널용 전극의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패턴화된 고분자 구조체외주면에 물리적 이온 식각공정을 통한 이차 스퍼터링 방식을 이용하여 전도성 물질을 부착시킨 전도성 물질-고분자 복합구조체를 형성시킨 다음, 상기 형성된 전도성 물질-고분자 복합구조체에서 고분자만을 제거하여 미세 전극패턴을 대면적으로 형성시킬 수 있는 터치패널용 전극의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 물리적 이온 식각을 통한 이온 봄바드먼트 현상을 적용하여 전극을 형성시킴으로써 간단한 공정과 저렴한 비용으로 높은 투명도와 균일성을 가지는 전극을 제조할 수 있고, 고분자 구조체의 패턴 및 형상을 조절함으로써 다양한 형상으로 패턴화된 전극을 형성시킬 수 있는 동시에 대면적으로 선폭이 10nm 이하인 전극 미세 패턴을 형성할 수 있어 좌표 간의 오차를 줄일 수 있으며, 터치입력에 대한 감도를 향상시킬 수 있다.