본 발명은 양극성 저항스위칭 현상을 일으키는 산화물 박막의 기판을 준비하는 단계; 열역학적으로 안정된 2차원의 조밀육방 콜로이드 나노입자의 단일막을 자기조립(self-assembly) 기법을 이용하여 상기 기판 표면에 형성하는 단계; 상기 기판에 대한 결합력이 상기 나노입자에 대한 결합력보다 더 크게 이루어지도록 금속 박막을 상기 기판 및 나노입자 모두에 증착하는 단계; 및 상기 금속 박막의 증착 단계를 거친 기판에서 상기 나노입자를 제거하여 삼각형상을 가지면서 적어도 그 일부분이 서로 연결되지 않은 복수의 상기 금속 박막의 나노 디스크를 형성하는 단계를 포함하는 나노구조 스위칭 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노구조 스위칭 소자를 제공한다.