측벽 스페이서 기술과 촉매 금속 식각 방법을 이용한 수직 나노튜브 구조 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 수직 나노튜브 구조Methods of manufacturing vertical silicon nano tubes using sidewall spacer technique and metal-assisted chemical etching process and vertical silicon nano tubes manufactured by the same
기판에 원형의 홀을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 홀의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 기판 및 홀 상에 촉매 금속을 증착하는 단계; 상기 홀의 측벽에 형성된 스페이서를 제거하는 단계; 및 상기 촉매 금속이 증착된 기판을 식각액에 접촉시켜, 상기 스페이서가 형성된 영역을 제외한 기판 물질을 식각하여, 수직 나노튜브를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노튜브 제조방법이 제공된다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2014-01-21
- Application Date
- 2012-07-27
- Application Number
- 10-2012-0082380
- Registration Date
- 2014-01-21
- Registration Number
- 10-1355930-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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