연접 비씨에이치 부호, 복호 및 다계층 복호 회로 및 방법, 이를 이용한 플래쉬 메모리 장치의 오류 정정 회로 및 플래쉬 메모리 장치ENCODING, DECODING, AND MULTI-STAGE DECODING CIRCUITS AND METHODS FOR CONCATENATED BCH CODE, ERROR CORRECT CIRCUIT OF FLASH MEMORY DEVICE USING THE SAME, AND FLASH MEMORY DEVICE USING THE SAME
본 발명은 연접 BCH 부호, 복호 및 다계층 복호 회로 및 방법, 이를 이용한 플래쉬 메모리 장치의 오류 정정 회로 및 플래쉬 메모리 장치에 관한 것으로, 플래쉬 메모리 장치를 위한 부호, 복호 및 다계층 복호를 통해서 오류 정도에 따라 지연 시간을 조정할 수 있다.본 발명에 의한 연접 BCH 다계층 복호 회로는, 연접 BCH 부호 일부를 인가받아 BCH 복호를 수행하여 제 1 출력 BCH 부호 또는 그에 의해 보호되는 제 1 출력 데이터를 출력하는 제 1 스테이지 복호부와, 상기 제 1 출력 BCH 부호 또는 상기 제1 출력 데이터를 두 개 이상의 블록(block)으로 나눠 디인터리빙(de-interleaving)하여 출력하는 디인터리빙부와, 상기 디인터리빙부의 출력을 BCH 복호하여 제 2 출력 BCH 부호 또는 그에 의해 보호되는 제 2 출력 데이터를 출력하는 제 2 스테이지 복호부와, 상기 제 2 출력 BCH 부호 또는 상기 제 2 출력 데이터를 두 개 이상의 블록으로 나눠 인터리빙하여 상기 제 1 스테이지 복호부로 출력하는 인터리빙부 및, 상기 제 1 및 제 2 스테이지 복호부에서 복호 실패 정보를 인가받고 상기 제 2 출력 BCH 부호 또는 그에 의해 보호되는 제 2 출력 데이터를 인가받아 복호 실패 블록에 대해 추가 복호를 실행하는 추가 복호부를 포함하고 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2013-10-14
- Application Date
- 2011-11-18
- Application Number
- 10-2011-0120623
- Registration Date
- 2013-10-14
- Registration Number
- 10-1320684-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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