반도체 소자 및 그 제조 방법SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THERE OF

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본 발명의 실시 예는 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.실시 예에 따른 반도체 소자는, 금속 산화막; 및 상기 금속 산화막의 일면과 접합하는 금속 전극;을 포함하고, 상기 금속 전극은, 상기 금속 산화막과 접합할 때 상기 금속 전극과 관련된 산화막을 형성하지 않거나 또는 상기 금속 산화막과 접합할 때 상기 금속 산화막의 산소를 빼앗지 않는 금속이다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2015-08-26
Application Date
2013-02-26
Application Number
10-2013-0020277
Registration Date
2015-08-26
Registration Number
10-1549030-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/231501
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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