나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법 및 그 방법에 의해 제조된 나노와이어Manufacturing method of nanowire, pattern forming method, and nanowire using the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 양민양 | ko |
| dc.contributor.author | 고승환 | ko |
| dc.contributor.author | 강봉철 | ko |
| dc.contributor.author | 한승용 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T07:18:47Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T07:18:47Z | - |
| dc.date.issued | 2014-01-23 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231283 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 구리 나노와이어를 산화시킨 후 레이저를 조사하여 산화된 구리 나노와이어를 환원시킴으로써 소결된 나노와이어를 생성하는 나노와이어 제조방법 및 나노와이어 패턴 형성방법에 관한 것이다. 이를위해 나노와이어를 산화시킴으로써 산화 나노와이어를 생성하는 단계(S610); 및 산화 나노와이어를 도포된 환원제와 함께 레이저 조사함으써 소결 및 환원된 나노와이어를 생성하는 단계(S620);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조방법이 개시된다. | - |
| dc.title | 나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법 및 그 방법에 의해 제조된 나노와이어 | - |
| dc.title.alternative | Manufacturing method of nanowire, pattern forming method, and nanowire using the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 양민양 | - |
| dc.contributor.localauthor | 고승환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 강봉철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 한승용 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0112150 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1357179-0000 | - |
| dc.date.application | 2011-10-31 | - |
| dc.date.registration | 2014-01-23 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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