나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법 및 그 방법에 의해 제조된 나노와이어Manufacturing method of nanowire, pattern forming method, and nanowire using the same

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dc.contributor.author양민양ko
dc.contributor.author고승환ko
dc.contributor.author강봉철ko
dc.contributor.author한승용ko
dc.date.accessioned2017-12-20T07:18:47Z-
dc.date.available2017-12-20T07:18:47Z-
dc.date.issued2014-01-23-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/231283-
dc.description.abstract본 발명은 나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 구리 나노와이어를 산화시킨 후 레이저를 조사하여 산화된 구리 나노와이어를 환원시킴으로써 소결된 나노와이어를 생성하는 나노와이어 제조방법 및 나노와이어 패턴 형성방법에 관한 것이다. 이를위해 나노와이어를 산화시킴으로써 산화 나노와이어를 생성하는 단계(S610); 및 산화 나노와이어를 도포된 환원제와 함께 레이저 조사함으써 소결 및 환원된 나노와이어를 생성하는 단계(S620);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조방법이 개시된다.-
dc.title나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법 및 그 방법에 의해 제조된 나노와이어-
dc.title.alternativeManufacturing method of nanowire, pattern forming method, and nanowire using the same-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor양민양-
dc.contributor.localauthor고승환-
dc.contributor.nonIdAuthor강봉철-
dc.contributor.nonIdAuthor한승용-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2011-0112150-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-1357179-0000-
dc.date.application2011-10-31-
dc.date.registration2014-01-23-
dc.publisher.countryKO-
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ME-Patent(특허)
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