측벽 스페이서 기술 방법을 이용한 대면적 금속 나노 고리 구조 제조 방법 및 이를 이용한 전사 방법Methods of metal nano ring formation in large wafer-scale using sidewall spacer technique and method of transferring the metal nano ring formation using the same
금속 나노 고리 제조방법으로, 기판에 구멍 구조를 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 구멍 구조의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 및 상기 기판에 금속을 증착하여 금속 고리 구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 고리 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따르면, 수십 나노미터 급의 두께를 가지는 금속 나노 고리 구조를 쉽게 대면적으로 제작할 수 있다. 따라서, 기존의 금속 나노 디스크 구조에 비하여 다양한 크기 조절 변수로 인해 조율을 통해 적외선 영역에서 플라즈몬 효과를 조절 가능하게 할 수 있으며, 또한 기존의 반도체 공정 기반의 측벽 스페이서 공정을 통해 별도의 나노 급 패터닝 공정 없이 웨이퍼 스케일의 대면적으로 금속 나노 고리 구조 제작이 가능하다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2016-05-30
- Application Date
- 2014-12-04
- Application Number
- 10-2014-0173315
- Registration Date
- 2016-05-30
- Registration Number
- 10-1627430-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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