박막 벌크 음향 공진 소자 및 그 제조 방법

Abstract

본 발명은, 두 금속 전극 사이에 산화아연(Zinc Oxide)을 압전 유전체 층으로 형성하는 FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) 소자에 관한 것으로, 이를 위해 본 발명은, FBAR 소자의 산화아연(ZnO)층을 산소/아르곤(O2/Ar) 혼합 가스 또는 아르곤(Ar) 가스를 반응가스로 하여 스퍼터링(sputtering) 방식 및 이에 준하는 방법(CVD, MBE 등)으로 증착하는 종래와는 달리, 산화아연(ZnO)층에 질소(N) 원자를 불순물(impurity)로 포함시키기 위해, 아산화질소(N2O), 일산화질소(NO) 및 암모니아(NH3) 가스와 같은 질소 계열의 가스와 아르곤(Ar) 가스의 혼합가스 분위기에서 산화아연(ZnO)층을 증착시킴으로써, FBAR 소자의 공진 특성을 향상시킬 수 있다.