원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 금속 표면에 산화막을 형성하는 방법Forming method of oxide layer on the surface of metal of cylinder shape or prism shape
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 조성오 | ko |
| dc.contributor.author | 박양정 | ko |
| dc.contributor.author | 유성호 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T01:38:56Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T01:38:56Z | - |
| dc.date.issued | 2017-04-25 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/229947 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 외부 표면을 갖는 금속 재질의 양극; 및 와이어 형태인 것을 특징으로 하는 금속 재질의 음극;을 포함하고, 상기 음극은 2 개 이상이고, 상기 양극 외부 표면에 대하여 소정의 간격으로 이격되며, 각각이 상기 양극 외주면을 따라 소정의 간격으로 위치하는 것을 특징으로 하는 전기화학 셀, 전해질 용액 및 전압 인가 장치를 포함하는 전기화학 시스템을 준비하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 준비된 전기화학 시스템에 전압을 인가하여 양극산화 반응을 수행하는 단계(단계 2);를 포함하는 원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 금속 표면에 산화막을 형성하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 금속 표면에 산화막을 형성하는 방법은 종래 원기둥 형태의 백금 음극을 사용하여 양극산화를 진행하는 대신에 와이어 형태의 음극을 이용하여 양극산화를 진행함으로써, 원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 금속 외부 표면에 균일한 두께를 갖는 나노 구조 산화막을 매우 저렴하게 제조할 수 있다. | - |
| dc.title | 원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 금속 표면에 산화막을 형성하는 방법 | - |
| dc.title.alternative | Forming method of oxide layer on the surface of metal of cylinder shape or prism shape | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 조성오 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박양정 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 유성호 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2015-0107309 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1731906-0000 | - |
| dc.date.application | 2015-07-29 | - |
| dc.date.registration | 2017-04-25 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- NE-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.