본 발명은 패턴 클리닝 방법 및 패턴 클리닝 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 패턴 클리닝 방법은, 기판 상에 형성된 패턴을 클리닝하는 패턴 클리닝 방법이고, 패턴이 형성된 기판을 챔버 내에 위치시키고, 챔버 내에 반응 가스를 주입하는 제1 단계, 기판 상으로 소정의 포톤 에너지를 가지는 레이저 광을 주사하여, 패턴 상의 거친 표면 부위에 옵티컬 니어 필드 광해리(optical near field photo-dissociation)를 발생시켜 패턴 상의 거친 표면 부위를 제거하는 제2 단계를 포함한다.