전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법BIO SENSOR USING PARASITIC FRINGING GATE FIELD EFFECTS OF FIELD EFFECTIVE TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEROF

Cited 0 time in webofscience Cited 0 time in scopus
  • Hit : 212
  • Download : 0
본 발명은 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 게이트의 전계 효과 특징을 지니고 있는 전계효과 트랜지스터의 작동원리를 이용한 바이오 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터의 기생(fringing) 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서는 기판; 상기 기판에 채널 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인; 상기 채널 영역 상부에 형성된 절연층; 상기 절연층상에 형성되고, 상기 절연층의 일부를 덮는 게이트; 상기 절연층 상부 표면 중 상기 게이트에 의해 덮이지 않은 부분에 링커에 의하여 결합된 바이오 분자를 포함한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2010-11-23
Application Date
2008-10-23
Application Number
10-2008-0103983
Registration Date
2010-11-23
Registration Number
10-0997210-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/229048
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
Files in This Item
There are no files associated with this item.

qr_code

  • mendeley

    citeulike


rss_1.0 rss_2.0 atom_1.0